设为首页收藏本站

切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › Analog/RF IC 资料共享 › 等离子体工艺对MOS器件的损伤

返回列表发新帖

查看: 2045|回复: 3

[资料] 等离子体工艺对MOS器件的损伤

发表于 2011-6-12 12:27:02 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

×

等离子体工艺对MOS器件的损伤

等离子体工艺对MOS器件的损伤.pdf

259.98 KB, 下载次数: 29, 下载积分: 资产 -1 信元, 下载支出 1 信元

等离子体工艺对MOS器件的损伤

相关帖子

回复

使用道具举报

发表于 2011-7-23 16:03:33 | 显示全部楼层

ddddddddddddd

EETOP创芯人才网简历投递入口

回复支持反对

使用道具举报

发表于 2011-9-28 09:08:38 | 显示全部楼层

看过类似的一片资料

回复支持反对

使用道具举报

发表于 2014-4-23 14:52:10 | 显示全部楼层

看看，谢谢楼主的资料！

EETOP创芯人才网职位发布入口

回复支持反对

使用道具举报

返回列表发新帖

X

|手机版|小黑屋|关于我们|联系我们|隐私声明|EETOP 创芯网 ( 京ICP备:10050787号京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2026-1-16 03:00 , Processed in 0.041949 second(s), 10 queries , Gzip On, Redis On.

Powered by Discuz! X3.5

© 2001-2026 Discuz! Team.

快速回复 返回顶部 返回列表