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楼主: lwj74wait

[讨论] MOST和Bipolar做输入管的摆率比较

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发表于 2013-5-14 20:33:41 | 显示全部楼层
回复 9# feynmancgz
咳咳,是否是在GBW相等这个前提下,差分输入级的gm要相等,要达到相同的gm,MOS需要更多偏置电流;因此SR更大。
如果输入级的电流相等,MOS差分输入,Bipolar差分输入的SR 应该差别不大。
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 楼主| 发表于 2013-5-14 20:34:30 | 显示全部楼层
回复 7# feynmancgz


    GBW≥7GHz
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发表于 2013-5-14 20:51:49 | 显示全部楼层
回复 11# iWeiguo


    Yes
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发表于 2013-5-14 20:58:00 | 显示全部楼层
回复 12# lwj74wait


    Ok, 7GHz is much much smaller than the transit frequency of CMOS technology. Then I think it's possible.
   
    But in your another post, you said your GBW should be THz, that's not possible.
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发表于 2013-5-14 20:59:16 | 显示全部楼层
回复 10# jiang_shuguo


    Ahha, you checked my IP, hehe~
   
    I study at KULeuven
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发表于 2013-5-14 22:05:50 | 显示全部楼层
回复 15# feynmancgz


   呵呵,加油
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发表于 2013-5-15 06:15:23 | 显示全部楼层
回复 1# lwj74wait

为什么不全用cmos? 参看下图:

                               
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完全足够,在7g的时候。
Capture.JPG
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 楼主| 发表于 2013-5-15 08:59:25 | 显示全部楼层
回复 17# Evanpeng


    给的是0.35um的工艺,MOST如果要达到较高特征频率过驱动就会很高,然后就进入速度饱和了。即使那样还是没BJT快,实现起来有难度。
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发表于 2025-5-20 01:03:54 | 显示全部楼层
楼主,向请教一下,我也是需要bicmos做一个运放,还是没理解怎么定义两种管子的使用环境,有没有教材推荐呢。
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