哪位大神能帮忙解释一下OSE（OD space effect）？

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先进工艺的技术下，靠进阱边界mos的电学性能会受到mos器件沟道区域到阱边距离的影响。 就是在阱离子注入时 离子会在光刻胶的侧面与边界发生散射、反射，会影响阱边界区域的阱离子参杂浓度，器件离阱越进浓度就越大。 一般解决办法：有限的空间内加D，关键器件放在阱中间，减小阱的个数（同一电位没要求的放在一个阱）