RIE刻蚀角度求助

97115

最近在使用RIE刻槽，遇到以下要求：
150nm SiN介质；
上面光刻240nm线宽；
要求刻蚀后底部线宽350nm左右，剖面角度小<60度
目前我使用条件如下：（这个条件剖面只能达到70度）
功率：30W
气压：30mT
SF6：40SCCM
He：15SCCM
刻蚀时间：300S
请兄弟们帮帮忙，该如何调整，谢谢了！

gooner

我是新人，可不可以增加侧壁聚合物，例如引入HBr气体，或者增大腔内压力，以减少物理轰击，而增大化学刻蚀作用。