芯片失效分析-ESD

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一个含有IC和IGBT分立器件的模块，经受了ESD后，失效了，请问怎么找到坏点？比如说，击穿的栅氧层

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OBIRCH常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析，线路漏电路径分析.利用OBIRCH方法，可以有效地对电路中缺陷定位，如线条中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻区等；也能有效的检测短路或漏电,是发光显微技术的有力补充。
EMMI微光显微镜是一种效率极高的失效分错析工具, 提供高灵敏度非破坏性的故障定位方式，可侦测和定位非常微弱的发光（可见光及近红外光）, 由此捕捉各种元件缺陷或异常所产生的漏电流可见光。 EMMI侦测对应故障种类涵盖 ESD, Latch up, I/O Leakage, junction defect, hot electrons , oxide current
leakage等所造成的异常.

如果是确认GATE OXIDE的问题, EMMI 还是不错的. 当然, 首先用I-V 来判断哪个引脚出了问题, 然后器件开封, 用EMMI找出红外发光点, 然后用SEM 来验证.