SMIC180工艺IO设计，遇到个问题（见帖子内容）

88王道 · 发表于 2016-7-5 14:20:41

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要设计一个IO电路，使用3.3V CMOS器件，要求PAD端具有5V tolerance输入。现在的做法是在Schmitt输入端用NMOS作为开关管，NMOS栅极接3.3V电压，由于NMOS传递高电平会有一个阈值电压损失，因此Schmitt输入端电压理论上为NMOS开关管栅极电压减去一个阈值电压。但是仿真结果显示typical下Schmitt输入端电压仅有2.23V左右，要求Schmitt高翻转电平为0.6*VDD=0.6*3.3=2.31V，可见Schmitt输入端电压达不到高阈值。
不知该如何解决？谢谢！
QQ截图20160705141851.png

466382902 · 发表于 2016-7-5 15:11:57

我也不清楚，帮不到你

jamesccp · 发表于 2016-7-6 15:55:28

建议搜索这方面的专利电路

SOMANY · 发表于 2016-7-6 16:29:26

在输入IO上串接几个正向二极管？

akzhu · 发表于 2016-7-26 11:16:43

Hope this will help you

math123 · 发表于 2016-7-26 15:07:00

衬底效应增大了Vth

marx67 · 发表于 2017-1-18 00:44:40

回复 1# 88王道

谢谢分享

dengqin · 发表于 2022-10-9 10:43:49

akzhu 发表于 2016-7-26 11:16
Hope this will help you

上面缺一块儿，看不全。

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