关于基准产生电路中运放的问题

fh6413326 · 发表于 2016-10-7 23:56:05

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模拟初学者，欢迎指教。。。。。
对于利用运放虚短虚短的基准产生电路，运放后接MOS或者三极管有何区别？很多项目都是用pnp。。。
只是因为pnp比MOS容易驱动，MOS会漏电？所以首选pnp吗？
还是。。。。。
可能对于pnp和mos的特性还是不清楚
谢谢大家

基准.png

fuyibin · 发表于 2016-10-8 08:27:19

我有点孤陋寡闻，没见过这样的结构

kidd_han · 发表于 2016-10-8 09:42:14

我感觉PMOS也可以的，只要通过反馈把多余的PTAT电流抽走，抽走电流这一点PMOS也可以的。

demon0821 · 发表于 2016-10-8 09:49:23

你分别仿真看一下PNP与PMOS条件下的vref的温度曲线，看看是否有温度补偿的效果呢？

hehuachangkai · 发表于 2016-10-8 11:07:27

pnp是为了产生负温度系数啊。那个ptat流过PNP后，就会产生0温度系数电流。。MOS的话，VTH研究程度不够，不好控制吧。。。。

hehuachangkai · 发表于 2016-10-8 11:12:38

本帖最后由 hehuachangkai 于 2016-10-8 11:14 编辑

回复 5# hehuachangkai

fh6413326 · 发表于 2016-10-8 23:50:23

回复 2# fuyibin

我试着比较一下谢谢

fh6413326 · 发表于 2016-10-8 23:51:10

回复 3# kidd_han

恩恩谢谢我试着比较一下

fh6413326 · 发表于 2016-10-8 23:51:48

回复 4# demon0821

ok 谢谢

fh6413326 · 发表于 2016-10-8 23:52:36

回复 5# hehuachangkai

谢谢，我仿一下

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