关于插入损耗的一些疑惑

jincong

打算先仿一个mos管的PSP模型的插入损耗，出现了一些理解上的偏差；理论上来说：应该是频率越大，越往寄生电容走的功率越多，插损越大，也符合论文的说法。实际仿真看：频率越大，反而插损开始变小，这就无法理解。

仿真设置：port1,2，栅压2.5v，开关导通，仿s参数；
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