求助关于SMIC180nm EEPROM工艺的HVPMOS的DNW问题

SuperLYL · 发表于 2019-4-21 16:33:49

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小弟我最近用SMIC180nm EEPROM工艺画图，调用HVPMOS后总是出现关于DNW的DRC报错。报错和layout如下。我按照设计规则在DNW外加了一圈PW也没有消除错误。还请各位前辈多多指点。最后我还有一个问题是关于guard ring和衬底的问题，当我调用HVPMOS的时候是自带衬底和guard ring的，那么应该如何处理它们之间的位置关系？

SuperLYL · 发表于 2019-4-21 17:32:55

毕设进度就被卡在这里了

firewolf223 · 发表于 2019-4-22 09:38:31

主要还是几个阱电位的问题，我觉得你没有把device的剖面结构弄懂

Outsider_yis · 发表于 2019-4-22 11:02:45

你把你的N+ guard ring 画成一个环形的就解决了

SuperLYL · 发表于 2019-4-22 19:06:02

firewolf223 发表于 2019-4-22 09:38
主要还是几个阱电位的问题，我觉得你没有把device的剖面结构弄懂

谢谢，我再好好看看书

SuperLYL · 发表于 2019-4-22 19:08:02

yiweikun 发表于 2019-4-22 11:02
你把你的N+ guard ring 画成一个环形的就解决了

我图中的外环是就是N+guard ring 呀

Outsider_yis · 发表于 2019-4-23 09:06:21

SuperLYL 发表于 2019-4-22 19:08
我图中的外环是就是N+guard ring 呀

你是HVPMOS，你PMOS的体电位B应该是N+的吧？那你N+的为啥是最外圈呢？你得把你的电位画成环形的，这个是深N阱工艺

SuperLYL · 发表于 2019-5-4 10:37:32

yiweikun 发表于 2019-4-23 09:06
你是HVPMOS，你PMOS的体电位B应该是N+的吧？那你N+的为啥是最外圈呢？你得把你的电位画成环形的，这个是 ...

谢谢前辈，按您说的解决了

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