求教：哪位大神能解释一下有源区和场区的区别？？？

不识君

百度上给出的解释是：有源区和场区是互补的，有mos管或者有电极接触的为有源区，其余的都为场区。场区为厚氧。
我有点不理解的是场区的厚氧能有多厚啊，难道有源区的氧化层和场区的氧化层的厚度不一样吗，若厚度真的不一样在做上边金属层是应该会不平整的吧？

ywic

厚度是不一样的，差别很大。但是要搞清楚这里说的有源区和场氧区是指在离子注入前，需要做的处理。
最开始厚度都是场氧厚度几千Å厚度，需要做离子注入的地方，氧化层会被刻蚀到几百甚至几十Å（根据MOS开启电压，耐压等参数确定）。
有源区做完离子注入后又会长氧化层，但是始终和场氧的厚度会有差别，却没有之前那么大了。
金属的平坦化本来就是半导体工艺里面一个很关键的工艺。就是处理各种刻蚀后留下来的坑对金属平摊性的影响。
你需要看看工艺流程方面的资料。

不识君

ywic 发表于 2019-5-15 09:17
厚度是不一样的，差别很大。但是要搞清楚这里说的有源区和场氧区是指在离子注入前，需要做的处理。
最开始 ...

哦哦，明白了。非常感谢，我会看一些工艺相关的资料的