请问各位大神，高速接口电路中二级ESD保护怎么做

scvready

对于超高速SERDES电路接收端输入PIN，加入二级保护，ESD电阻和输出端的寄生电容导致带宽降低，严重影响性能
而目前TSMC 7nm/16nm等工艺都要求需要做二级保护来预防CDM，请问应该怎么办？？？？可以把电阻拿掉吗？？？？？？

zhangyang370281

将ESD电阻做小一点（一般默认200欧姆），你可以做成100欧姆，ST家的serdes有这么处理的（96欧姆），为了不降低信号质量，仅供参考

scvready

zhangyang370281 发表于 2021-4-27 18:18
将ESD电阻做小一点（一般默认200欧姆），你可以做成100欧姆，ST家的serdes有这么处理的（96欧姆），为了不 ...

做小也有衰减。。。。
可以不要电阻不？

zhangyang370281

scvready 发表于 2021-4-28 11:07
做小也有衰减。。。。
可以不要电阻不？

估计你得看看能不能通过HBM 和CDM  ESD 了，这个不好说了，貌似二级保护的ESD电阻都是必须的。。。

mars0904

不加二级保护，那就降低这个pin的ESD标准。现在大部分的高速接口ESD标准都比较低。

lynker

我们拆过TI的SERDES芯片1G的速度，它的TX口ESD没用电阻。工艺是0.18um的

fei_SH

lynker 发表于 2022-1-25 09:14
我们拆过TI的SERDES芯片1G的速度，它的TX口ESD没用电阻。工艺是0.18um的

0.18um拿掉没问题，7nm/16nm最好还是保留一点电阻。阻值可以小，还取决于主保护和Clamp如何配合。

得看整体ESD方案是怎么样的，不能简单的就拿掉。