mos电容仿真模型的问题

sunsibing

出现的问题是：
（1）mos电容用做充放电用时直接用mos管进行仿真就不能达到想要的功能
（2）用电容模型仿真就可以实现想要的功能
（3）折算的方法是：c＝w×l×m×2.1e-15，其中m为mos管并联的个数，2.1e-15表示单位的面积值
想问的是：
（1）在用hspice做仿真时，如果设计中有mos电容，是直接用mos管仿真还是人为把mos管折算成电容值用电容模型进行仿真了？
（2）如果不折算，用mos管直接仿真时能不能够实现电容的功能了，要注意什么？

yyyyyy0702

THANKS

yyyyyy0702

THANKS

fly6987

应该直接用mos管仿真。把grain和source连接在一起作为bottom，gate作为upper！！
要用电容模型代替的时候需要把寄生电容加进去。

holmes

原帖由 sunsibing 于 2007-12-19 14:57 发表

                               
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出现的问题是：
（1）mos电容用做充放电用时直接用mos管进行仿真就不能达到想要的功能
（2）用电容模型仿真就可以实现想要的功能
（3）折算的方法是：c＝w×l×m×2.1e-15，其中m为mos管并联的个数，2.1e-15表示单 ...

一般来说，应该是一样的。

如果仿真有差别，你应该看看工作点对不对

forever6269

谢谢楼主的分享了！

不懂tbl

谢谢楼主了