工艺问题请教

ibluei2 · 发表于 2023-7-10 14:46:38

1.PWELL和Pbase的区别

2.用DTI进行横向隔离和用Iso_ring的方式进行横向隔离的优缺点在哪

freshworker · 发表于 2023-7-10 14:46:39

1. 双阱工艺里面除了nwell区域都是pwell区域，pbase好像多用于高压功率器件的bulk，掺杂浓度会比普通的pwell低，在工艺上的步骤也不一样。

2. DTI的隔离深度更深，成本高，填充物是绝缘氧化物，不接电位，是纯物理构造上的隔离，貌似大多用于对隔离要求很高的产品，isoring分为nring和pring，需要接电位，在工艺上就是普通的掺杂，没有额外成本。
3. 不专业，可能说的不够准确

LSLS1997 · 发表于 2023-7-10 20:55:35

freshworker 发表于 2023-7-10 16:44
1. 双阱工艺里面除了nwell区域都是pwell区域，pbase好像多用于高压功率器件的bulk，掺杂浓度会比普通的pwel ...

学习了

李幕白 · 发表于 2023-7-11 09:31:10

学习，这个DTI 一般是什么制程or工艺有的，好像普遍的都是STI 吧？

freshworker · 发表于 2023-7-11 09:50:53

李幕白发表于 2023-7-11 09:31
学习，这个DTI 一般是什么制程or工艺有的，好像普遍的都是STI 吧？

普遍是STI，但DTI应该不是应用于特殊工艺的，主要是用于高压管，tsmc18bcd gen2的高压管PCELL就有可选DTI的option

freshworker · 发表于 2023-7-11 09:58:20

李幕白发表于 2023-7-11 09:31
学习，这个DTI 一般是什么制程or工艺有的，好像普遍的都是STI 吧？

普遍是STI，tsmc18bcd gen2的高压管就有可选DTI的option，如果选择DTI会多一圈SiGe的ring，DTI主要用于高压管的隔离，应该不针对什么特殊制程和工艺。

李幕白 · 发表于 2023-7-11 14:39:46

freshworker 发表于 2023-7-11 09:58
普遍是STI，tsmc18bcd gen2的高压管就有可选DTI的option，如果选择DTI会多一圈SiGe的ring，DTI主要用于高 ...

学习，谢谢回复!

ztstg2018 · 发表于 2023-7-11 19:38:43

Pbase用于高压管，耐高压，DTI 一般用于SOI工艺，纯物理的全隔离，一个器件就是一个单独的隔离器件，被DTI包围

JIRARA大尉 · 发表于 2024-5-17 15:59:35

学习了

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