流片后Die PVT一致性问题

find_noc · 发表于 2024-1-31 16:37:55

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

×

PVT中的process特性是流片后mos管的速度特性，想请教下对于一个已经做好的Die，如果两个cell位置靠得很近，那它们process特性是不是也是比较接近的？如果一个是ff那么另一个大概率也是ff这种？工艺上是不是有这种规律？

zero_0 · 发表于 2024-1-31 18:11:26

是的，环境基本一致，位置也靠近，所以同一片上的差异一般用OCV模拟

账号		自动登录	找回密码
密码			注册

[求助] 流片后Die PVT一致性问题