找有系统级ESD经验的工程师

iwwa01 · 发表于 2024-3-20 21:04:24

iwwa01 发表于 2024-3-20 21:03
M2

M1拍照

iwwa01 · 发表于 2024-3-20 21:06:15

gratwo 发表于 2024-3-20 11:07
你说接电池就不行，可能latch了.....

看看版图，latch path.....

poly拍照

gratwo · 发表于 2024-3-21 08:20:19

本帖最后由 gratwo 于 2024-3-21 08:58 编辑

iwwa01 发表于 2024-3-20 21:06
poly拍照

肯定是LU了

franzjoseph · 发表于 2024-3-29 20:49:27

接个仿真跑跑看啊，说不定第一个peak就太高挂了

fei_SH · 发表于 2024-4-1 09:58:53

大概率是LU，可以降低电源电压试试看，如果能pass，那就是LU了。从LU上去分析。
下电能pass说明ESD路径上要是ok的，不过不排除内部有潜在损伤。

ksj116 · 发表于 2024-4-9 22:23:53

iwwa01 发表于 2024-3-20 21:06
poly拍照

属于TLUP了，IEC 引入的端口 trasient 引入LUP，就像前几个说到的，降低电压，或者在电源供电限流看看是否pass

ksj116 · 发表于 2024-4-9 22:25:42

iwwa01 发表于 2024-3-20 21:06
poly拍照

你把照片都放大100X后看损伤点，这样子1层层就能看出来了

crush1986 · 发表于 2024-4-10 09:47:56

好像是低压数字区域烧坏了？盲猜一个LDO过冲低压器件击穿引起的LU，衬底电流很容易抬高BG。像楼上说的电源限流，或者BG/LDO想办法限个电压试试看

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