[求助] ESD

Andyou · 发表于 2024-6-7 14:28:35

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ggnmos的tpl曲线基本都是几伏的点电压，他是如何应对几千幅的静电的

poly_lq · 发表于 2024-6-7 15:05:30

串了1.5K的电阻，ESD管是看不到几千伏电压的

Andyou · 发表于 2024-6-7 15:26:02

poly_lq 发表于 2024-6-7 15:05
串了1.5K的电阻，ESD管是看不到几千伏电压的

ggnmos 的drain端直接接pad 是sab这层的电阻值吗？

leland.li · 发表于 2024-6-7 16:13:33

Andyou 发表于 2024-6-7 15:26
ggnmos 的drain端直接接pad 是sab这层的电阻值吗？

ESD的几千V是能量的体现，不是真的几千V电压。1.5K电阻应该是HBM下人体的等效阻抗大概在1.5K。

Andyou · 发表于 2024-6-7 16:50:16

leland.li 发表于 2024-6-7 16:13
ESD的几千V是能量的体现，不是真的几千V电压。1.5K电阻应该是HBM下人体的等效阻抗大概在1.5K。
...

可以具体说下吗或者有什么资料

李幕白 · 发表于 2024-6-7 17:23:18

静电是几千伏的高压，但是时间持续短，约是纳秒或微秒级别。瞬时的高压可以导致大的脉冲电流，摆放在PAD边缘的ESD器件可以快速响应导通，第一时间把高压转移到地，从而可以保护内部电路。如果这个高压非瞬时，例如持续时间较长，那么芯片失效是一定的。

Andyou · 发表于 2024-6-7 17:34:54

李幕白发表于 2024-6-7 17:23
静电是几千伏的高压，但是时间持续短，约是纳秒或微秒级别。瞬时的高压可以导致大的脉冲电流，摆放在PAD边 ...

那么 esd器件也是要能扛住这瞬时的高压才行吧？那么，怎样选管子呢？比如要用ggnmos。尺寸上怎么决定？

chuchuang · 发表于 2024-6-10 22:38:28

Andyou 发表于 2024-6-7 17:34
那么 esd器件也是要能扛住这瞬时的高压才行吧？那么，怎样选管子呢？比如要用ggnmos。尺寸上怎么决定？
...

看fab的 design rule 手册里面有esd rule 里面有要求w 多大 l多大 d端离gate区多远这些一般都是fab提供的有实验数据支撑的

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