POWER MOS 连接pad时drc报错

vince0016

大家好，我正在使用tsmc18rf工艺库绘制版图。top已经通过lvs和drc了，但是接上pad后出现了一些新的报错（如图1），其中esd.10g这个错误，我在design rule里面看到了详情介绍（图2，图3），但是我这个是power管，S和D紧挨着，且都需要连接到pad上，栅硅的宽度是最小的0.18um，也不可能扩大到2.4um，（图4是示意图，发现即使只用一个nmos也会报这个错）请问应该怎么解决？谢谢大家

图1

图2

图3

图4

jinpeng.li

LUP的需要修掉

kanuoa

接PAD的MOS管需要按照ESD画法绘制。