悬空N阱的风险问题

uray555 · 发表于 2025-4-16 08:39:20

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如上图所示，工艺提供的ESD器件为两个串联的PNP管，底下为基极的N阱。
请问各位高手，如果在这种ESD器件旁边放置N阱器件的话，会有闩锁的风险吗？（N阱内部电位均短接，并未与外部电位连接，且N阱到ESD器件的距离比ESD器件内部的N阱间隔大）
我自己推了一下，感觉应该风险不大？

另外，我也有点担心两个ESD器件的N阱通过悬空的N阱产生漏电流，请问发生的机率大吗？

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aaaaaxbbbbb · 发表于 2025-4-16 10:03:49

有点像floating N buried

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