关于mos管电容的仿真！！！

peterlau1984

我想得到pmos的Cgs和Cds随Vs电压变化的曲线（用作VCO的varactor），以下是电路结构和仿真过程：
电路结构：
pmos管的S和D相连接Vscan（dc magnitude设为变量s），G接另一个电源Vsig（ac magnitude为1v）。
仿真过程：
在analysis中设置ac，对频率进行扫描。然后再用parametric analysis 对 s进行扫描。把仿真的结果用caculator计算“result browser”中“ac-info”里面Cgs与Cds的和，发现结果是负数。为什么会是负数呢？我的仿真方法是否不对？请指教！！

TianBian365

initial:
       1. set bias voltage of s,d,g,b  pole net .
eg: NMOS
vs=vd=vb=0
vg vg 0 bias ac=1
       2.
.ac  dec  1 1  sweep bias poi 5 0 1 2 3 4
meas i(vg) at fre=1 then you can make it.

peterlau1984

感谢楼上回复！！！

peterlau1984

二楼能解释一下你的思路吗？仿真出来的电流值怎样对应上结电容的值呢？

TianBian365

c=i/vs
here s=2*pi*f
for f=1, u can work out s=2*pi,v=1
so, c=i/2pi
then u get the value of c under all bias.

TianBian365

take care the diff bewteen S & F

TianBian365

s=2pi*f

beer

TianBian365 真实诲人不倦

standup

困惑好久的问题，终于得到解决了

xxdtju

进行瞬态分析也可以，电路不变，加一个瞬态源，斜率为一。电流极为电容

[ 本帖最后由 xxdtju 于 2008-10-9 18:14 编辑 ]