P+/N+电阻、POLY电阻上走MT1、MT2会有什么影响

04072081 · 发表于 2011-9-28 21:20:54

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P+/N+电阻、POLY电阻上走MT1、MT2会有什么影响
MT平行电阻或垂直电阻走线，会有影响吗？
是为什么？
请高手指教

jiangtaojack · 发表于 2011-9-29 10:16:49

肯定有影响的呀，在电阻体上跨线，能造成电阻体离子迁移，阻值会有变化，对电路的功能和性能有影响的

terry8876 · 发表于 2011-9-29 10:42:33

要看电路设计者的意思了，如果是精确匹配的电阻或电阻阵列，你肯定不能从上面走线了，模拟电路对这些要求较高。有些工艺甚至还有屏蔽层。
如果是一般的电阻，走点线过去也没什么影响了。还有就是尽量走高层金属（M2及以上），这样影响会小一点。

hujiangtao007 · 发表于 2011-9-29 11:14:23

至少poly电阻上面尽量不要走metal1,这两层离得太近，离衬底也很近，寄生参数很多很高。

cdlj85 · 发表于 2011-9-29 15:01:10

模拟电路一般是不走线的，尤其是在匹配要求很高的情况下，最好还能在电阻上做隔离层

elio0108 · 发表于 2011-9-30 00:47:37

回复 1# 04072081

在上方走線會有寄生的問題，盡量別在元件上方走線

half_honey · 发表于 2011-10-14 13:10:19

终于明白为什么要match的电阻上不能走线了！多谢！

bellona · 发表于 2011-10-16 22:08:27

在需要匹配的模拟电路器件上走线会影响匹配性能
1. 金属引线引起的应力
应力会改变沟道中载流子迁移率，从而改变MOS管gm 应力还会通过压阻效应改变多晶硅电阻的阻值
2.金属引线中的钽对氢气退火工艺的影响
常规铝互联工艺或者高阶铜互连工艺都采用钽做diffusion barrier，钽对氢气有很强的吸附作用。M1、M2层的钽会把原本用于消除MOS管栅极界面态的氢气吸附，造成MOS管阈值电压的波动，从而影响匹配

有三篇文章楼主可以看一下，见 http://bbs.eetop.cn/viewthread.p ... p;page=1#pid5074089

shangyouqiang · 发表于 2011-10-18 10:13:33

楼上的解释很清楚了。

我也学习

Ailsa1017 · 发表于 2011-10-26 10:38:33

学习了，谢谢！

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