求助大神：DC-DC的功率低PGND和模拟地AGND需要隔离吗？

confiope · 发表于 2013-11-18 15:20:21

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求助大神：DC-DC的功率低PGND和模拟地AGND需要隔离吗？它们中间是否需要 NMOAT隔离，隔离后 PGND和AGND之间的间距有要求吗？
不胜感激！！

confiope · 发表于 2013-11-18 17:41:00

自己顶一个

math123 · 发表于 2013-11-19 12:41:49

本帖最后由 math123 于 2013-11-19 12:47 编辑

楼主的意思是噪声隔离还是latch up啊？下面提供两个常压DC-DC的NMOS隔离环例子

第一个是面积要求不高的芯片，1-5接 power gnd，6接 power vcc

第二个芯片1接power gnd ，2和3接衬底gnd，奇怪的是1的宽度很小。。。总之guard ring做宽些没坏处

xuriver2012 · 发表于 2013-11-19 17:23:03

这个隔离是必须的，功率管的地相对较脏

jiang_shuguo · 发表于 2013-11-19 17:58:25

i do not know Agnd and Pgnd need separation and what is used for sepration,i just know double ring is only need for latch up .
u only need to do is make the resistance of Pgnd line and contact near zero.

hszgl · 发表于 2013-11-19 21:30:37

我设计了一块没搞隔离。正在tapeout还没回来。关注你这个问题，回来测试了再来讨论。

hszgl · 发表于 2013-11-19 21:31:26

回复 3# math123

这是你自家的图还是反向的图？

icucu · 发表于 2013-11-19 22:22:37

回复 3# math123

NWELL接GND？不是应该接VDD吗？

math123 · 发表于 2013-11-20 00:11:42

回复 7# hszgl

反向的图片

NWELL接GND？不是应该接VDD吗？

当功率NMOS的漏极电压比地低一个VBE的时候，这样漏极-衬底-接GND的NWELL就形成了npn，电流从power gnd进入电感，不会影响其它电路。

可能接法看实际情况，如果是衬底被拉高超过VBE，或者NWELL接power VDD比较合适

hszgl · 发表于 2013-11-20 11:22:31

回复 9# math123

学习了，多谢~

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