肖特基为何要加p+环？

jimipage · 发表于 2016-5-20 15:58:47

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肖特基为何要加p+环？肖特基是金属与NW的组成，为何要在阱里加P+环？

jimipage · 发表于 2016-5-23 14:51:09

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jimipage · 发表于 2016-5-24 08:38:25

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andy2000a · 发表于 2017-7-21 18:15:24

肖特基为何要加p+环？肖特基是金属与NW的组成，为何要在阱里加P+环？
jimipage 发表于 2016-5-20 15:58

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一说降低漏电

一种高反压肖特基二极管制造工艺 CN 104103513 A

不过这patent 好像垂直的肖特基说提高耐压到 150~200v

RF+CMOS工艺肖特基二极管特性及建模应用研究

andy2000a · 发表于 2017-7-21 18:15:55

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jimipage 发表于 2016-5-24 08:38

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HERE
http://bbs.eetop.cn/thread-604089-1-1.html

XHED · 发表于 2019-7-28 20:51:57

主要为了防止电场在metal edge的集边效应, 不加的话反向击穿电压会fail

Miya.huang · 发表于 2019-8-29 16:34:30

主要为了防止电场在metal edge的集边效应, 不加的话反向击穿电压会fail

@@@12 · 发表于 2019-9-18 11:09:00

感谢前辈分享layout心得，我常来学习哈!

王者拜仁-碳化硅 · 发表于 2020-10-12 14:53:52

是终端吧，可以提高耐压

buy117035365 · 发表于 2020-10-12 16:10:02

加P+环为了提高击穿电压，缓解终端耗尽区尖端电场集中的问题，P+圆心位置一般在势垒边缘

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