28nm制程的版图技巧有哪些

janet_cai1432 · 发表于 2018-11-27 16:59:31

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跟大工艺的差别或者心得拜一下大佬

haoren007 · 发表于 2018-11-28 10:43:59

很惭愧，90nm及以下的工艺都没用过。

rayhao · 发表于 2018-12-29 14:22:17

注意二级效应，全芯片poly方向最好一致，IO管可以不一致。

wojiaomeitounao · 发表于 2019-1-29 08:44:10

3#正解，poly方向一致是最重要的

埃杜阿多 · 发表于 2019-1-29 10:12:58

注意density大片mos res poly density过大还有res的OD density也要注意

wangjianghua · 发表于 2019-2-2 17:38:02

回复 5# 埃杜阿多

那如果是在Poly 电阻下的OD density一般要怎么处理呢？

埃杜阿多 · 发表于 2019-2-11 15:08:19

回复 6# wangjianghua
把电阻space拉大吧OD dmy width调大我记得28nm电阻有调节这些的选项

hccaiwh · 发表于 2019-2-11 15:30:26

很惭愧，90nm及以下的工艺都没用过。

lianaissmec · 发表于 2019-4-10 09:27:15

惭愧啊，还没有接触过先进工艺

nm2012 · 发表于 2019-12-29 21:01:27

埃杜阿多发表于 2019-2-11 15:08
回复 6# wangjianghua
把电阻space拉大吧OD dmy width调大我记得28nm电阻有调节这些的选项 ...

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