运放的offset为什么和输入对管的过驱动电压有关

zgg · 发表于 2010-7-13 18:38:02

Razavi第十三章应该有讲，可以看看
ccp106 发表于 2010-7-3 10:45

登录/注册后可看大图

同意

ilikethisplace · 发表于 2010-7-13 21:10:33

对于相同的输入失调而言，较大的输入对管GM，产生的input referred offset较小，这个也是为什么BJT比MOS失调小的原因之一

vdslafe · 发表于 2010-7-13 22:34:14

BJT offset 小，主要是因为工艺吧。

天街小雨 · 发表于 2010-7-20 21:19:41

输入差分对管的过驱动电压太小的话，阈值电压失调占的比重就会很大，肯能也会影响运放的Offset,不知道我说的对么，欢迎指正

zgg · 发表于 2010-7-21 10:37:44

看看公式ID=0.5*UN * COX * (W/L) (VGS-VTH)^2 ,

假设偏置电流不变，例如电流源负载的一级差动运放的输入对管，如果工艺的变化量很小的话，例如W/L 增大5% ，要维持相同的电流那么 (VGS-VTH)^2大约会减少5%，VGS-VTH 会减少约2.5% , 这个2.5%*(VGS-VTH)就是失调量，显然和过驱动电压的大小有关，对于负载管，那又是另外一种考虑了。。

aceafee · 发表于 2010-7-21 18:57:59

学习了

forever6269 · 发表于 2010-7-23 10:51:03

ddddddddddddddd

万水之源 · 发表于 2011-7-27 11:43:42

thank you

semico_ljj · 发表于 2011-7-27 23:16:50

xuexi...

baby02204270 · 发表于 2011-8-9 11:43:24

thanks for share

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