28nm 做IR drop 和EM 都在什么corner 下

yaya0315 · 发表于 2022-7-14 14:43:29

lijie5992373 发表于 2019-10-8 10:02
IR drop和EM最好在TT做，这俩和器件的corner 没关系，device corner只影响IC的速度。 ...

这个回答不准确把

fangwang85 · 发表于 2022-7-15 16:16:13

wlmwxm 发表于 2021-4-13 16:50
我们也是在 ff 125 下，28nm leackage 影响很大的

学习了

zjouu · 发表于 2024-12-18 17:01:46

ff 125吧，要求不高的 ff 110也常见

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