ESD问题

Yury_Sun · 发表于 2024-7-2 09:54:25

gratwo 发表于 2024-7-1 19:04
500欧姆，确实太大了。

电阻在这种地方，或者是esd考虑，或者是lu考虑。

first ESD用的上下STI diode, PAD有速度要求，所以没有用GGNMOS。

gratwo · 发表于 2024-7-2 14:34:13

Yury_Sun 发表于 2024-7-2 09:54
first ESD用的上下STI diode, PAD有速度要求，所以没有用GGNMOS。

有ESD TLP就可以。

metotj · 发表于 2024-7-3 09:13:40

Yury_Sun 发表于 2024-7-1 13:52
VDD 工作电压0.8V， core device oxide BV有4.7V左右，Vds应该在4.6V左右。PAD要测HBM 2KV和CDM 500V。

...

把VDD的ESD钳位点做低就可以了，如VDD的clamp小于3V，再算上走线的IR drop，可以控制PAD到VDD的电压差始终小于PMOS的BV。

Yury_Sun · 发表于 2024-7-3 13:51:24

metotj 发表于 2024-7-3 09:13
把VDD的ESD钳位点做低就可以了，如VDD的clamp小于3V，再算上走线的IR drop，可以控制PAD到VDD的电压差始 ...

多谢指点

qinyuwenzhu · 发表于 2024-7-15 17:22:24

看ND模式的钳位电压，不要让寄生的PNP导通

sunnyliu · 发表于 2024-7-29 14:16:56

metotj 发表于 2024-6-28 16:29
VDD的ESD是多少V，Core device的BV是多少？如果VDD远大于Core，那么有core被击穿损坏的风险。例如如VDD的ES ...

ESD设计的最基本原则都丢了？ core器件的ESD防护必须用core器件。所以图中所有的都得是core器件

ffei · 发表于 2024-10-11 10:20:26

学习了

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