高压高Vhold的SCR结构讨论

起风了071 · 发表于 2024-5-29 17:13:28

Wzx_imos 发表于 2024-1-24 13:29
请问这个SAC和Stac是指的什么呢？小白没看懂，还请大佬指教一下。

SAC：spacing of anode and cathode
Stac: cascode 串联堆叠

Yates · 发表于 2024-7-12 14:07:03

lynker 发表于 2023-5-6 23:13
可以考虑堆叠使用提高hole电压

堆叠缺点也挺明显，面积或许更大，均匀性差

lyfztz · 发表于 2024-8-6 16:05:17

本帖最后由 lyfztz 于 2024-8-6 16:34 编辑

我记得刘俊杰的学生有一篇论文就是讲这个non-snapback SCR的，你可以自己查找一下

fei_SH · 发表于 2024-8-7 08:29:49

lyfztz 发表于 2024-8-6 16:05
我记得刘俊杰的学生有一篇论文就是讲这个non-snapback SCR的，你可以自己查找一下 ...

看过的，参考看一下可以，工程上实用性有限。目前工程上很少看到fab提供Vh那么高的单体SCR。我看到dongbu上有，不过面积也很大。

lyfztz · 发表于 2024-8-7 09:20:29

fei_SH 发表于 2024-8-7 08:29
看过的，参考看一下可以，工程上实用性有限。目前工程上很少看到fab提供Vh那么高的单体SCR。我看到dongbu ...

单个的non-snapback SCR确实很难实现的。

sunnyliu · 发表于 2024-10-5 00:06:22

fei_SH 发表于 2024-8-7 08:29
看过的，参考看一下可以，工程上实用性有限。目前工程上很少看到fab提供Vh那么高的单体SCR。我看到dongbu ...

东部哪个工艺平台上的？多少V的器件？

我在180BCD的120V平台上没有看到有提供这个SCR；自己用80V NLDMOS8测试了堆叠结构，Vh在80V左右，Vt1大概在90~95V。但是It2很差，怀疑是SCR没有完全开启。

fei_SH · 发表于 2024-10-8 09:06:40

sunnyliu 发表于 2024-10-5 00:06
东部哪个工艺平台上的？多少V的器件？

我在180BCD的120V平台上没有看到有提供这个SCR；自己用80V NLDMOS ...

BCD的180 和150工艺都有，从10几V到40几V的SCR都有

江湖人92 · 发表于 2024-10-12 10:23:56

谢谢分享

Ralphjh · 发表于 2024-10-12 15:57:39

谢谢分享

hijackerhaha · 发表于 2024-10-14 08:25:48

这个确实太难了，一般Vh就在十几~二十几V，但是trigger电压都是50V往上了

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