AIGaN／GaN H EMT功率放大器设计

啊小罗 · 发表于 2010-4-30 11:01:30

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在小信号S参数不适于微波功率放大器的设计而大信号参数不易获得的情况下，利用ADS软
件，采用负载牵引法和输入端共轭匹配，成功的设计出A1GaN／GaN HEMT微波功率放大器。为了解决
晶体管端口出现负阻的问题，设计了输入输出端并联电阻和反馈网络两种方法，最后得到理想的结果为：
工作绝对稳定，带宽3．6GHz～8．0GHz，最高增益1 1．04dB，最大输出功率33dBm，最大PAE达到29．2％，
电压驻波比较小。

RF0907004--AIGaN／GaN HEMT功率放大器设计.pdf (2.83 MB, 下载次数: 120)

bjsuperpower · 发表于 2010-7-7 13:59:47

very ths

filestar · 发表于 2010-10-18 22:42:55

回复 1# 啊小罗

非常好的资料，谢谢！

fruityou · 发表于 2011-5-9 23:33:20

Thanks for sharing

nuaa_zq · 发表于 2011-5-13 20:36:36

非常感谢楼主无私分享！！！！！！！！！！！！！！

LUCK168168 · 发表于 2020-4-21 13:13:54

THANKS FOR SHARE

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