capless 的LDO片内用120pF的电容算逆天么？

aktwhh · 发表于 2015-7-10 15:23:24

其实capless LDO的负载特性及瞬态特性还是得靠片内大电容扛的，这个电容小不了。100pF数量级我认为很正常。

xlteam2 · 发表于 2015-7-12 14:13:48

a nice one

fumes · 发表于 2015-9-12 13:39:48

回复 61# aktwhh

我问一下，你知道ADC里面1.8V电源的数字滤波器平均电流有多少吗？峰值电流能达到多少？

jzr1989 · 发表于 2015-9-12 22:35:20

我老板叫我做capless LDO,直接先挂一个100p的电容，还说以后有空余面积再继续加，我用的是pcapmos上面重叠一个momcap，当然前提是对稳定性影响不大

zdcyf0202 · 发表于 2015-9-21 17:12:26

如果只是做研究，不讲芯片的成本，只是为了做出高性能指标电路，电容不算大，但是对于实际应用，没有那么大的电容，这个电容值大于一个LDO的面积，太离谱了！

manixx · 发表于 2016-11-11 17:06:50

马住！

liuxin_f · 发表于 2017-6-3 09:49:37

zanzanzan

peterlin2010 · 发表于 2018-8-13 16:42:27

如果只是做研究，不讲芯片的成本，只是为了做出高性能指标电路，电容不算大，但是对于实际应用，没有那么大 ...
zdcyf0202 发表于 2015-9-21 17:12

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如果做 20ma loading
capless LDO
那内部 cap 会多大 ??

A CAPACITOR-LESS WIDE-BAND POWER SUPPLY WITH CAPACITANCE MULTIPLIER

A CAPACITOR-LESS WIDE-BAND POWER SUPPLY WITH CAPACITANCE MULTIPLIER-2014.pdf (7.55 MB , 下载次数: 479 )

孤独的自由 · 发表于 2019-1-11 16:00:01

大家有没有capless ldo有用的文章分享一下，谢谢

cancan77 · 发表于 2021-4-28 15:33:07

好好学习下

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