防止latch up的方法

hanfeng006 · 发表于 2023-1-14 11:36:08

謝謝分享...學習學習

yyoulaopo · 发表于 2023-2-27 22:28:34

谢谢，努力学习中·

江湖人92 · 发表于 2023-3-17 11:24:35

谢谢分享

Candydarte · 发表于 2023-3-24 00:56:41

kkkkkkkk

麦茬 · 发表于 2023-4-11 16:06:54

kan kan

stefenxp · 发表于 2023-6-8 10:46:53

下载了。先看看

画版图的小W · 发表于 2023-7-14 17:49:35

Thanks a lot!

嘎嘎mika · 发表于 2023-7-19 09:10:26

谢谢分享

JingKe · 发表于 2023-8-9 16:33:21

感谢分享

Andyou · 发表于 2023-8-14 15:41:49

一抹曾经发表于 2018-10-23 22:03
请问【6.使nmos尽量靠近GND，pmos尽量靠近VDD,保持足够的距离在pmos 和nmos之间以降低引发SCR的可能】是怎 ...

以pmos靠近vdd为例，寄生的p（pmos的s）n（nwell）p（p衬底），pmos靠近vdd，那么寄生的Rnwell会比较小，不足以形成使be导通的压降（一般都使0.7v左右），scr自然不会触发

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