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degradation of sample-and-hold amplifier in 130nm CMOS

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发表于 2007-9-27 16:37:40 | 显示全部楼层 |阅读模式

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論文名稱 Circuit performance degradation of sample-and-hold amplifier due to gate-oxide overstress in a 130-nm CMOS process
指導教授 Ming-Dou Ker


期刊 J.-S. Chen and Ming-Dou Ker, Circuit performance degradation of sample-and-hold amplifier due to gate-oxide overstress in a 130-nm CMOS process, Proc. of 2006 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), San Jose, California, USA, Mar. 26-30, 2006, pp.705-706
摘要         The effect of gate-oxide reliability on MOS switch in the bootstrapped circuit is investigated with the sample-and-hold amplifier in a 130-nm CMOS process. After overstress on the MOS switch of sample-and-hold amplifier, the circuit performances in the frequency domain are measured to verify the impact of gate-oxide reliability on circuit performance.

423_IRPS2006_JSChen_Ker.pdf

312.46 KB, 下载次数: 46, 下载积分: 资产 -1 信元, 下载支出 1 信元

发表于 2007-9-27 23:02:01 | 显示全部楼层
好东西啊啊
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发表于 2007-9-27 23:05:06 | 显示全部楼层
才两页的paper啊
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发表于 2009-3-10 00:08:20 | 显示全部楼层
thanks for sharing
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发表于 2011-12-30 23:47:50 | 显示全部楼层
LZ发的东西都有点价值啊~~下了看看~
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发表于 2012-8-23 23:43:01 | 显示全部楼层
Dingding
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发表于 2013-10-23 19:22:23 | 显示全部楼层
顶一下再下。。
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