tsmc高压工艺DRC错误

纳尔哒哒 · 发表于 2022-6-23 16:43:12

新人，有没有大佬能帮我看看这几个错是啥原因，不太会解决，谢谢啦

MrHlayout · 发表于 2022-6-23 16:43:13

1，LV的器件要包在NBL里面，这个错一般可以waived 2，你的poly浮空的，这种一般是你自己在poly上打孔，不是用pcell生成的，检查一下是否有真正浮空的 3，DRM是工厂建议你的rule，可以waive 4,OD的密度不够，需要补dummy 5，DOD是dummy OD的层次，你没用的话就不用管 6，你的MOM电容必须要被MOMDUMMY 覆盖住，自己检查一下吧

Mr_阿木 · 发表于 2022-7-18 17:40:59

第一个是你缺少hvnw。需要有这个跟nbl进行连接。作为器件衬底环。

Mr_阿木 · 发表于 2022-7-18 17:41:53

第二个是你的gate。float

ncash0933 · 发表于 2022-7-19 13:50:37

谢谢MrHlayout

mmo · 发表于 2024-6-2 00:32:58

请问 6 是怎么解决的呢？如果没有使用 MOM，但是fab又不让 waive 的情况下

Jerome_Sun · 发表于 2024-6-2 18:53:52

mmo 发表于 2024-6-2 00:32
请问 6 是怎么解决的呢？如果没有使用 MOM，但是fab又不让 waive 的情况下

你没有mom为什么会有这个错误呢，是不是看错了

Jerome_Sun · 发表于 2024-6-2 18:54:39

MrHlayout 发表于 2022-6-23 16:43
1，LV的器件要包在NBL里面，这个错一般可以waived 2，你的poly浮空的，这种一般是你自己在poly上打孔， ...

我想问的是，第一个为什么可以waived

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